三星第9代V-NAND闪存将首次采用钼材料：可降低层高和延迟(samsung9)

据媒体报道，新书7月3日消息，在第九代V-NAND闪存技术的创新中，三星巧妙地将钼引入到金属化过程中（Mo）作为替代材料，与之并行的另一条路径继续沿用传统钨材料。

面对钨材料在降低层高方面已经触及的物理极限，三星前瞻性地转向钼，不仅有望进一步降低层高30%至40%，还能显著降低NAND闪存的响应时间，给数据存储领域带来前所未有的性能飞跃。三星的决定表明，NAND材料供应链即将迎来深刻的变化和重塑。

值得注意的是，钼材料的引入并不容易。它要求生产设备耐高温处理，将固态钼原料加热至600℃，转化为气态，这与六氟化钨（WF6）的处理方法完全不同。

为此，三星从Lam积极行动 Research公司推出了首批5台Mo沉积机，并计划明年再购买20台Mo沉积机，以加快其钼基NAND的生产布局。

在供应链方面，三星正在与Entegris、Air等多家领先供应商紧密合作， Liquide，为了确保钼源的稳定供应。同时，Merck等公司也积极响应，向三星提供钼材料样品，展示了行业对新技术路径的广泛支持和期待。

此外，SK海力士、美光、铠侠等行业巨头也纷纷跟进，探索在NAND生产中使用钼材料的可行性，共同推动半导体材料的创新进程。

然而，钼材料的使用也伴随着成本的增加，其市场价格比六氟化钨高出近十倍。然而，鉴于其在提高性能方面的显著优势，以及未来在DRAM和逻辑芯片领域的潜在应用前景，钼材料正成为许多企业的新最爱。这一趋势表明，六氟化钨市场将面临不可避免的收缩压力，而含钼材料市场将迅速崛起。

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负责编辑：鹿角

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