国产存储站起来！长江存储再度发招：起诉美光侵犯其11项美国专利

据Tomshardware报道，7月20日，中国3D NAND 长江存储Flash（YMTC）最近，加州北部再次对美光提起诉讼，指控美国公司侵犯其11项专利，涉及3D NAND Flash和DRAM产品。长江存储要求法院命令美光停止在美国销售侵权存储产品，并支付专利使用费。

根据长江存储指控，美光96层(B27A)、128层（B37R）、176层(B47R)和232层(B58R)3D NAND Flash和一些美光DDR5 SDRAM产品(Y2BM系列)侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，2023年11月，长江存储还在加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费品事业部提起诉讼，指控其侵犯其8项和3D项目 NAND 与Flash相关的美国专利。

以下是诉讼中引用的八项专利：

US10950623：3D NAND存储器及其形成方法

US11501822：非易失性存储器件及控制方法

US10658378：三维存储器件的直接接触阵列（TAC）

US10937806：三维存储器件的直接接触阵列（TAC）

US10861872：三维存储装置及其形成方法

US11468957：NAND存储器操作的架构和方法

US11600342：三维存储设备的读取时间

US10868031：堆叠三维存储器件及其制造方法

今年6月7日，加州北区联邦地区法院对长江存储提起诉讼，指控丹麦咨询公司Strand受美光资助 罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）传播虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

显然，长江存储正试图通过专利打击美光，以获得与美国打压的筹码。

2022年底，美国商务部将长江存储列入实体名单，使公司无法从美国公司获得先进的半导体设备，制造领先的128层或更多的3D NAND Flash器件。

尽管受到美国政府的严格限制，长江存储仍在努力通过原有设备和国内设备帮助其开发其3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品仍在努力维持生产，并正在开发新一代Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。

今年早些时候，长江存储还宣布，它已经试图将3D存储 QLC NAND Flash的耐久性大大提高到3D TLC NAND Falsh水平(达到4000个编程/擦除周期)，大大提高了廉价SSD的特点。

责任编辑：雪花

文章内容报告