日本提出EUV光刻新方案：光源功率可降低10倍、成本将大幅下降！(日本研发euv光刻机)

8月7日，日本冲绳科技大学（OIST）Tsumoru Shintake教授带领的研究团队提出了一个全新的、大大简化的极紫外线（EUV）光刻机双反射镜系统。

与传统至少需要六面镜的配置相比，新的光学投影系统只使用两面镜。在保证系统保持高光学性能的同时，EUV光可以以超过初始值10%的功率达到晶圆。与传统系统中只有1%的功率相比，它已经提高到原来的10倍，可以说是一个很大的突破。

换句话说，与原系统相比，全新的光学系统的功耗可以降低到原来的1/10！

对于EUV光刻机，随着光源系统功率要求的显著降低，将大大降低整个光源系统的体积和成本，减少镜数也将降低成本，同时降低光刻功率消耗也将大大降低其运行功耗成本，显著提高设备的可靠性和使用寿命。

ASML EUV光刻机光学系统分析

目前，ASML是世界上唯一的EUV光刻机供应商，其先进的EUV光刻机零件超过10万件，涉及上游5000多家供应商。

这些零件极其复杂，对误差和稳定性要求极高，几乎所有这些零件都是定制的。90%的零件采用世界上最先进的技术，85%的零件与供应链共同开发，甚至有些接口需要工程师用高精度机械打磨，尺寸调整次数可能高达100万次以上。这也使得一台EUV光刻机的价格高达1.5亿美元。

从EUV光刻机的结构来看，其内部主要由“照明光学模块”（Illuminator）、“投影光学模块”（Projection optics）、“光罩传输模块”(Reticle Handler)、“光罩平台模块”(Reticle Stage)、“晶圆传输模块”（Wafer Handler）、“晶圆平台模块”（Wafer Stage）及“光源模组”（Soure）由这七个模块组成。

△ASML EUV光刻机七大模块

其中，“照明光学模块”它是EUV的核心工作模块。这里的EUV光线由EUV光照组成。“光源模组”（Source）生成后，导入“照明光学模块”。

该过程还必须检测和控制光的能量、均匀性和形状。然后通过EUV光通过EUV光。“投影光学模块”通过光罩(掩膜版)传输，然后通过聚光镜传输（Project Lens）将图像聚焦成晶圆表面的光阻层。

EUV光源分为两部分：第一部分是通快集团提供的30KW二氧化碳激光器，又称EUV光源“drive laser”，其主要功能是提供10600nm波长的高功率激光，用于照射锡锡（Sn）为了产生13.5nm波长的EUV光线，金属液滴。

△快速激光放大器的核心部件——高功率种子模块 (HPSM)。

根据官网数据，快递集团向ASML供应的二氧化碳激光器有457、329个部件，系统内电缆长7、322米，重量17、090公斤。