国际首次！复旦团队实现超快闪存的规模集成和极限微缩(复旦微芯片列表)

据新书8月13日报道，据新书8月13日报道，“复旦大学微电子学院”官微发文，从界面工程出发，周鹏-刘春森团队首次实现了世界上最大规模1KB纳秒超快闪存阵列的集成验证，并证明其超快特性可延伸至亚10纳米。

据介绍，人工智能的快速发展迫切需要高速非易失存储技术。目前主流非易失闪存的编程速度一般为100微秒，无法支撑应用需求。

在早期阶段，研究小组发现二维半导体结构可以提高其速度超过1000倍，实现颠覆性的纳秒超快存储闪存技术。然而，实现规模集成和实际应用仍然是一个挑战。

为此，研究人员开发了超界面工程技术，实现了大规模二维闪存中具有原子级平整度的异质界面。结合高精度的表征技术，综合技术优于国际水平。

研究人员通过严格的DC存储窗口和交流脉冲存储性能测试，确认二维新机制闪存在1KB存储规模中，纳秒级非易失编程速度下的良率可达98%，高于国际半导体技术路线图对闪存制造89.5%的良率要求。

此外，研究小组开发了自对准技术，不依赖先进的光刻设备，结合原创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了8纳米的超快闪存器件，是最短的沟闪存器件，突破了硅基闪存物理尺寸极限（约15纳米）。

在原子级薄层沟的支持下，该超小尺寸设备具有20纳秒超快编程、10年非易损、10万次循环寿命和多态存储性能。预计将推动超快颠覆性闪存技术的产业化。

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负责编辑：鹿角

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