新书8月18日报道,半导体公司NEO 最近宣布推出3DD X-人工智能芯片技术被设计用于取代高带宽内存(HBM)为了提高人工智能处理性能,显著降低能耗,中国现有的DRAM芯片。
3D X-AI芯片集成了8000个神经元电路,直接在3D中 在DRAM中执行AI处理任务,使AI性能加速达到100倍。
同时,由于数据传输需求显著降低,芯片功耗降低99%,有效降低了数据总线的功耗和发热问题。
NEO Semiconductor的创新也带来了8倍的内存密度,其3D X-AI芯片包含300个DRAM层,支持运行更大规模的AI模型。
此前,该公司已宣布全球首款3D DRAM技术,而3DRAM技术, X-在此基础上,人工智能芯片进一步创新,通过类似HBM的堆叠包装,实现每芯片高达10个 TB/s人工智能处理吞吐量。
NEO Andyiconductor创始人兼首席执行官 HSU指出,目前人工智能芯片架构中数据存储与处理的分离导致了性能瓶颈和高功耗问题。
3D X-人工智能芯片通过在每个HBM芯片中进行人工智能处理,显著减少了HBM与GPU之间的数据传输,从而提高了性能,降低了功耗。
行业分析师Jay Kramer认为, X-人工智能技术的应用将加快新兴人工智能用例的发展,促进新用例的创造,为人工智能应用创新开启新时代。
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责任编辑:黑白
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