新书8月29日消息,SK海力士宣布,成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)技术的DDR5 DRAM芯片。
DRAM芯片名为1cc 16Gb DDR5,其中1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。
与上一代产品相比,1c DDR5 DRAM运行速度达到8Gbps,速度提高了11%,能效也提高了9%以上。
SK海力士表示,该芯片的推出,将有助于数据中心在人工智能快速发展的当下,最高降低30%的电力成本
SK海力士的1c技术是在第五代(1)β)在技术的基础上,通过提高设计完成度和优化工艺流程来实现。
在1c工艺中,SK海力士还推出了新材料,并针对极紫外线(EUV)优化工艺,使生产率比上一代1b工艺提高了30%以上。
DRAM开发部门负责人Kim Jonghwan说,1c技术不仅性能最高,而且具有成本竞争力,公司计划将其应用于新一代HBM、LPDDR6、GDDR7等M产品为客户提供差异化价值。
SK海力士计划在年内完成1c DDR5 DRAM的大规模生产准备,并从明年开始供应产品,有望进一步巩固其在半导体存储器市场的领先地位。
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责任编辑:黑白
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