4年自主研发！中国实现芯片制造关键技术首次突破：一年内投入应用

根据南京发布的公告，新书9月3日消息，经过四年的自主研发，国家第三代半导体技术创新中心（南京）成功克服了槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术。

这也是中国在这一领域的第一次突破，打破了平面碳化硅MOSFET芯片的性能“天花板”。

槽式碳化硅MOSFET芯片因其性能优异，如导通损耗低、开关性能好、晶圆密度高，一直被视为半导体技术的前沿。

然而，由于碳化硅材料的高硬度和制备过程中的复杂性，槽式碳化硅MOSFET芯片的制造过程一直是一个难题。

技术总监黄润华指出，碳化硅材料的硬度很高，沟槽结构的制造需要很高的腐蚀精度和损伤控制，这对碳化硅设备的开发和性能有决定性的影响。

为此，通过不断的尝试和创新，研发团队最终建立了新的工艺流程，解决了制造过程中的困难，成功制造了性能更好的沟槽碳化硅MOSFET芯片。

据黄润华介绍，与平面碳化硅MOSFET相比，沟槽产品的导电性能提高了30%左右。该技术突破预计将在一年内应用于新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域。

此外，这一成果的应用也将给消费者带来直接的好处。例如，在新能源汽车中，碳化硅功率装置的使用可以提高5%左右的电池寿命，降低芯片的使用成本。

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责任编辑：黑白

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