英飞凌推出全球首款12英寸GaN晶圆！效率更高、成本更低(英飞凌 晶圆)

新书9月12日消息，半导体巨头英飞凌科技近日宣布，公司已成功开发出全球首款300毫米(约12英寸)功率氮化镓（GaN）晶圆技术。

与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着可以在单个晶圆上制造更多的芯片，从而提高生产效率和规模经济。

这一技术进步不仅可以增加每个晶圆的芯片产量，达到2.3倍，还可以降低生产成本，使氮化镓技术更加经济高效。

由于其在效率、尺寸和重量方面的优势，氮化镓功率半导体在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到了迅速的应用。

英飞凌将于2024年11月在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。

该公司在奥地利菲拉赫的电力工厂成功制造了300毫米Gan晶圆，并计划根据市场需求进一步扩大生产能力。

英飞凌科技有限公司首席执行官Jochen Hanebeck说：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电力系统创新的领导者的地位。这一技术突破将改变行业游戏规则，释放氮化镓的所有潜力。”

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责任编辑：黑白

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