三星全球首发量产第九代QLC闪存：一颗1Tb、写入提升100％(三星的qlc)

新书9月12日消息，三星电子正式宣布，已开始批量生产第九代QLC V-NAND闪存，单个容量1Tb(128GB)。

今年4月，三星开始量产第九代TLCC V-NAND闪存，两者之间只有4个月的间隔。

三星第九代QLC NAND闪存增加了许多创新：

一是通道孔蚀刻(Channel Hole Etching)。

基于双堆栈结构，实现了行业内最高的单元堆叠层数（具体未披露）。同时，优化存储单元面积和外围电路，与上一代相比，位密度增加约866％。

二是预设模具(Designed Mold)。

存储单元的字线可以调整和控制(Word Line)间距，保证同一单元层、单元层之间存储单元的特性保持一致，达到最佳效果，数据保持性能提升200左右％，增强了可靠性。

三是预测程序(Predictive Program)。

能够预测和控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，写入性能翻倍，数据输入/输出速度提高60倍％。

四是低功耗设计(Low-Power Design)。

降低驱动NAND存储单元所需的电压，只感知必要的位线(Bit Line)，数据读取功耗分别下降约30％、50％。

三星第九代QLC V-NAND闪存将首先用于消费电子产品，然后在UFSS中逐渐使用、PC、服务器领域的传播。

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