美国政府力挺！Intel获30亿美元资金：史上最先进18A工艺2025年投产(intel美国工厂)

新书9月17日消息，美国政府宣布，根据《芯片与科学法》，Intel获得了高达30亿美元的直接资金，用于芯片与科学法案“安全飞地（Secure Enclave）”计划。该计划将扩大美国政府对尖端半导体的可信制造。

克里斯斯斯联邦总裁兼总经理克里斯斯斯·乔治表示：“Intel自豪能够与美国国防部继续合作，帮助加强美国国防和国家安全系统。今天的声明突出了我们与美国政府的共同承诺，即加强国内半导体供应链，确保美国在先进制造、微电子系统和技术方面保持领先地位。”

Intel CEO帕特·基辛格（Pat Gelsinger）表示，作为唯一同时设计和制造尖端芯片的美国公司，我们将帮助确保国内芯片供应链的安全。

Intel还透露，其代工即将完成历史性的设计和工艺技术创新，其最先进的技术——Intel 18A——预计2025年投入生产。

Intel开发和生产了世界上许多最先进的芯片和半导体包装技术，目前正在亚利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒冈州的工厂推广关键的半导体制造和研发项目。

Intel表示，与美国政府的密切合作由来已久。2020年，Intel获得SHIP计划第二阶段的授权，使美国政府能够利用Intel在亚利桑那州和俄勒冈州的先进半导体包装能力，并利用Intel每年大量的研发和制造投资。

2023年，Intel在SHIP计划下成功交付了首批多芯片封装原型，这是确保尖端微电子封装和为国防部现代化铺平道路的重大成就。

据了解，18A是Intel雄心勃勃的“五年，四个节点 (5Y4N)”路线图的巅峰之作。

该工艺采用创新设计，环栅 (GAA) RibbonFET与背面供电技术Powervia相结合。

RibbonFET能准确控制晶体管沟内的电流，在降低功耗方面发挥重要作用，同时实现芯片组件的进一步小型化。

另一方面，Powervia将电源与晶圆表面分离，优化信号路径，提高电源效率。这些技术的结合有望显著提高未来电子设备的计算性能和电池寿命。

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责任编辑：朝晖

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